Poziomy nośnik płytek SiC

Firma VeTek SemiconductorPoziomy nośnik płytek SiC/Boat ma wyjątkowo wysoką temperaturę topnienia (około 2700°C), co umożliwiaPoziomy nośnik płytek SiC/Łódź do stabilnej pracy w środowiskach o wysokiej temperaturze bez deformacji i degradacji. Cecha ta jest szczególnie istotna w procesie produkcji półprzewodników, szczególnie w procesach takich jak wyżarzanie w wysokiej temperaturze czy chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD).

ThePoziomy nośnik płytek SiC/Boat w szczególności pełni następujące role w procesie przewozu nośników opłatków:

Noszenie i wsparcie płytek krzemowych: Pozioma łódź waflowa SiC jest używana głównie do przenoszenia i podtrzymywania płytek krzemowych podczas produkcji półprzewodników. Może trwale ułożyć razem wiele płytek krzemowych, aby zapewnić ich dobrą pozycję i stabilność przez cały proces przetwarzania.

Jednolite ogrzewanie i chłodzenie: Ze względu na wysoką przewodność cieplną SiC, Wafer Boat może skutecznie rozprowadzać ciepło równomiernie do wszystkich płytek krzemowych. Pomaga to uzyskać równomierne ogrzewanie lub chłodzenie płytek krzemowych podczas obróbki w wysokiej temperaturze, zapewniając spójność i niezawodność procesu przetwarzania.

Zapobiegaj zanieczyszczeniu: Stabilność chemiczna SiC umożliwia jego dobre działanie w środowiskach o wysokiej temperaturze i gazach korozyjnych, zmniejszając w ten sposób narażenie płytek krzemowych na możliwe zanieczyszczenia lub reagenty, zapewniając czystość i jakość płytek krzemowych.

W rzeczywistości pozioma łódź waflowa SiC może pełnić powyższą rolę ze względu na swoje unikalne cechy produktu:

Doskonała stabilność chemiczna: Materiał SiC ma doskonałą odporność na korozję w stosunku do różnych mediów chemicznych. W procesie przetwarzania żrących gazów lub cieczy, SiC Wafer Boat może skutecznie przeciwstawić się korozji chemicznej i chronić płytki krzemowe przed zanieczyszczeniem lub uszkodzeniem.

Wysoka przewodność cieplna: Wysoka przewodność cieplna SiC pomaga równomiernie rozprowadzać ciepło w procesie nośnika i zmniejszać akumulację ciepła. Może to poprawić dokładność kontroli temperatury podczas precyzyjnego przetwarzania i zapewnić równomierne ogrzewanie lub chłodzenie płytek krzemowych.

Niski współczynnik rozszerzalności cieplnej: Niski współczynnik rozszerzalności cieplnej materiału SiC oznacza, że ​​zmiana wymiarów łodzi waflowej SiC jest bardzo mała podczas zmian temperatury. Pomaga to zachować stabilność wymiarową podczas obróbki w wysokiej temperaturze i zapobiega deformacjom lub przemieszczeniom płytek krzemowych spowodowanym rozszerzalnością cieplną.

Podstawowe właściwości fizyczne poziomego nośnika płytek SiC:

Sklep produkcyjny półprzewodników VeTek:

Przegląd łańcucha branży epitaksji chipów półprzewodnikowych: