Łódka z węglika krzemu

Łódka z węglika krzemu o wysokiej czystości firmy VeTek Semiconductor jest wykonana z wyjątkowo czystego materiału z węglika krzemu o doskonałej stabilności termicznej, wytrzymałości mechanicznej i odporności chemicznej. Łódź waflowa z węglika krzemu o wysokiej czystości jest stosowana w zastosowaniach w strefach gorących w produkcji półprzewodników, zwłaszcza w środowiskach o wysokiej temperaturze, i odgrywa ważną rolę w ochronie płytek, transporcie materiałów i utrzymywaniu stabilnych procesów. Firma VeTek Semiconductor będzie w dalszym ciągu ciężko pracować nad innowacjami i poprawą wydajności łodzi waflowych z węglika krzemu o wysokiej czystości, aby sprostać zmieniającym się potrzebom produkcji półprzewodników. Z niecierpliwością czekamy na zostanie Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.

Wyślij zapytanie

Opis produktu

Jako profesjonalny producent, firma VeTek Semiconductor pragnie zapewnić Państwu wysokiej jakości łódkę waflową z węglika krzemu.

Doskonała wydajność cieplna: łodzie waflowe o wysokiej czystości firmy VeTek Semiconductor z węglika krzemu mają doskonałe właściwości termiczne, są stabilne w środowiskach o wysokiej temperaturze i mają doskonałą przewodność cieplną, co pozwala im pracować w temperaturach znacznie wyższych od temperatury otoczenia. Dzięki temu łódź waflowa z węglika krzemu o wysokiej czystości idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy i wytrzymałości w wysokich temperaturach.

Doskonała odporność na korozję: Łódź waflowa z węglika krzemu o wysokiej czystości jest kluczowym narzędziem do produkcji półprzewodników i ma dużą odporność na różne czynniki korozyjne. Jako niezawodny nośnik wytrzymuje działanie wysokiej temperatury i korozji w środowisku chemicznym, zapewniając bezpieczną i efektywną obróbkę płytek węglika krzemu. Jako niezawodny nośnik wytrzymuje działanie wysokiej temperatury i korozji w środowisku chemicznym, zapewniając bezpieczną i efektywną obróbkę płytek węglika krzemu.

Integralność wymiarowa: Łódka waflowa z węglika krzemu o wysokiej czystości nie kurczy się podczas procesu spiekania, zachowując integralność wymiarową i eliminując naprężenia szczątkowe, które mogłyby spowodować wypaczenie lub pęknięcie części. Umożliwia to produkcję części o skomplikowanych kształtach i dokładnych wymiarach. Niezależnie od tego, czy chodzi o produkcję urządzeń półprzewodnikowych, czy o inne dziedziny przemysłu, łodzie waflowe z węglika krzemu o wysokiej czystości zapewniają niezawodną kontrolę wymiarów, aby zapewnić, że części spełniają specyfikacje.

Jako wszechstronne narzędzie, łódka waflowa o wysokiej czystości firmy VeTek Semiconductor może być stosowana w różnych technologiach produkcji półprzewodników, w tym w procesie wzrostu epitaksjalnego i chemicznego osadzania z fazy gazowej. Trwała konstrukcja i niereaktywny charakter sprawiają, że łódka waflowa z węglika krzemu o wysokiej czystości nadaje się do różnych procesów chemicznych, zapewniając płynną adaptację do różnych środowisk przetwarzania.

W produkcji półprzewodników wzrost epitaksjalny i chemiczne osadzanie z fazy gazowej to typowe etapy procesu stosowane do produkcji wysokiej jakości płytek i cienkich warstw. Łódź SiC o wysokiej czystości odgrywa ważną rolę jako nośnik, który może wytrzymać wpływ wysokich temperatur i środków chemicznych, aby zapewnić dokładne procesy wzrostu i osadzania.

Oprócz trwałej konstrukcji, łódź SiC o wysokiej czystości jest również niereaktywna. Oznacza to, że nie będzie reagował negatywnie z chemikaliami stosowanymi w procesie obróbki, zachowując w ten sposób integralność i wydajność łodzi. Dzięki temu producenci półprzewodników otrzymują niezawodne narzędzie zapewniające spójność i powtarzalność procesu produkcyjnego.

Właściwości fizyczne rekrystalizowanego węglika krzemu

Właściwości fizyczne rekrystalizowanego węglika krzemu
Nieruchomość	Typowa wartość
Temperatura pracy (°C)	1600°C (z tlenem), 1700°C (środowisko redukujące)
Zawartość SiC	> 99,96%
Darmowa zawartość Si	< 0,1%
Gęstość nasypowa	2,60-2,70 g/cm3
Pozorna porowatość	< 16%
Siła ściskania	> 600 MPa
Wytrzymałość na zginanie na zimno	80-90 MPa (20°C)
Wytrzymałość na zginanie na gorąco	90-100 MPa (1400°C)
Rozszerzalność cieplna w @1500°C	4,70 10-6/°C
Przewodność cieplna @1200°C	23 W/m·K
Moduł sprężystości	240 GPa
Odporność na szok termiczny	Bardzo dobra