W branży produkcji półprzewodników, w miarę zmniejszania się rozmiarów urządzeń, technologia osadzania materiałów cienkowarstwowych stwarza bezprecedensowe wyzwania. Osadzanie warstwy atomowej (ALD), jako technologia osadzania cienkowarstwowego, która umożliwia precyzyjną kontrolę na poziomie atomow......
Czytaj więcejIdealnie nadaje się do budowy układów scalonych lub urządzeń półprzewodnikowych na doskonałej krystalicznej warstwie bazowej. Proces epitaksji (epi) w produkcji półprzewodników ma na celu osadzenie cienkiej warstwy monokrystalicznej, zwykle o grubości około 0,5 do 20 mikronów, na podłożu monokrystal......
Czytaj więcejGłówna różnica między epitaksją a osadzaniem warstwy atomowej (ALD) polega na mechanizmach wzrostu błony i warunkach pracy. Epitaksja odnosi się do procesu wzrostu cienkiej warstwy krystalicznej na krystalicznym podłożu o określonej zależności orientacji, przy zachowaniu tej samej lub podobnej struk......
Czytaj więcejPowłoka CVD TAC to proces polegający na utworzeniu gęstej i trwałej powłoki na podłożu (grafit). Metoda ta polega na osadzaniu TaC na powierzchni podłoża w wysokich temperaturach, w wyniku czego powstaje powłoka z węglika tantalu (TaC) o doskonałej stabilności termicznej i odporności chemicznej.
Czytaj więcej