Susceptor ALD z powłoką SiC

Półprzewodnik VeTekSusceptor ALD z powłoką SiCodgrywa istotną rolę w osadzaniu się warstwy atomowej (ALD) proces. Precyzyjna kontrola temperatury, równomierny rozkład gazu, wysoka odporność chemiczna i doskonała przewodność cieplna zapewniają jednorodność i wysoką jakość procesu osadzania folii. Jeśli chcesz dowiedzieć się więcej, możesz natychmiast się z nami skontaktować, a my odpowiemy na czas!

Precyzyjna kontrola temperatury:

Susceptor ALD z powłoką SiC ma zwykle bardzo precyzyjny system kontroli temperatury. Jest w stanie utrzymać jednolitą temperaturę podczas całego procesu osadzania, co ma kluczowe znaczenie dla zapewnienia jednorodności i jakości folii.

Jednolita dystrybucja gazu:

Zoptymalizowana konstrukcja susceptora ALD z powłoką SiC zapewnia równomierną dystrybucję gazu podczas procesu osadzania ALD. Jego struktura zwykle obejmuje wiele obracających się lub ruchomych części, aby zapewnić równomierne pokrycie reaktywnymi gazami na całej powierzchni płytki.

Wysoka odporność chemiczna:

Ponieważ w procesie ALD wykorzystuje się różne gazy chemiczne, susceptor ALD z powłoką SiC jest zwykle wykonany z materiałów odpornych na korozję (takich jak platyna, ceramika lub kwarc o wysokiej czystości), aby wytrzymać erozję gazów chemicznych i wpływ środowisk o wysokiej temperaturze.

Doskonała przewodność cieplna:

Aby skutecznie przewodzić ciepło i utrzymywać stabilną temperaturę osadzania, w susceptorach ALD z powłoką SiC zwykle stosuje się materiały o wysokiej przewodności cieplnej. Pomaga to uniknąć lokalnego przegrzania i nierównomiernego osadzania.

Podstawowe właściwości fizyczne powłok CVD SiC:

Sklepy produkcyjne:

Przegląd łańcucha branży epitaksji chipów półprzewodnikowych：