Nośnik opłatków satelitarnych Aixtron

Nośnik płytek satelitarnych Aixtron jest integralną częścią sprzętu AIXTRON MOCVD, specjalnie używanego do przenoszenia płytek do wzrostu epitaksjalnego. Szczególnie nadaje się dowzrost epitaksjalnyproces wytwarzania urządzeń z GaN i węglika krzemu (SiC). Jego unikalna konstrukcja „satelitarna” nie tylko zapewnia równomierność przepływu gazu, ale także poprawia równomierność osadzania filmu na powierzchni płytki.

firmy Aixtronnośniki waflisą zwykle wykonanewęglik krzemu (SiC)lub grafit powlekany metodą CVD. Wśród nich węglik krzemu (SiC) ma doskonałą przewodność cieplną, odporność na wysoką temperaturę i niski współczynnik rozszerzalności cieplnej. Grafit pokryty metodą CVD to grafit pokryty warstwą węglika krzemu w procesie chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD), który może zwiększyć jego odporność na korozję i wytrzymałość mechaniczną. Materiały SiC i powlekany grafit wytrzymują temperatury do 1400–1600°C i charakteryzują się doskonałą stabilnością termiczną w wysokich temperaturach, co ma kluczowe znaczenie dla procesu wzrostu epitaksjalnego.

Nośnik wafli satelitarnych Aixtron służy głównie do przenoszenia i obracania płytek wProces MOCVDaby zapewnić równomierny przepływ gazu i równomierne osadzanie podczas wzrostu epitaksjalnego.Konkretne funkcje są następujące:

Rotacja płytek i równomierne osadzanie: Dzięki obrotowi nośnika satelitarnego Aixtron płytka może utrzymać stabilny ruch podczas wzrostu epitaksjalnego, umożliwiając równomierny przepływ gazu po powierzchni płytki, zapewniając równomierne osadzanie materiałów.

Łożysko i stabilność w wysokiej temperaturze: Materiały z węglika krzemu lub powlekanego grafitu wytrzymują temperatury do 1400°C–1600°C. Ta cecha zapewnia, że ​​płytka nie odkształci się podczas wzrostu epitaksjalnego w wysokiej temperaturze, jednocześnie zapobiegając wpływowi rozszerzalności cieplnej samego nośnika na proces epitaksjalny.

Zmniejszone wytwarzanie cząstek: Wysokiej jakości materiały nośne (takie jak SiC) mają gładkie powierzchnie, które ograniczają powstawanie cząstek podczas osadzania z fazy gazowej, minimalizując w ten sposób możliwość zanieczyszczenia, co ma kluczowe znaczenie przy wytwarzaniu materiałów półprzewodnikowych o wysokiej czystości.

Nośnik płytek satelitarnych Aixtron firmy VeTek Semiconductor jest dostępny w rozmiarach płytek 100 mm, 150 mm, 200 mm i jeszcze większych, a także może świadczyć usługi produktowe dostosowane do indywidualnych potrzeb w oparciu o wymagania sprzętowe i procesowe. Mamy szczerą nadzieję, że będziemy Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.

DANE SEM STRUKTURY KRYTALNEJ FILMU CVD SIC：

Nośnik płytek Aixtron Satellite Zakłady produkcyjne:

Przegląd łańcucha branży epitaksji chipów półprzewodnikowych: