- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Aktualności
Diament - przyszła gwiazda półprzewodników
Diament, potencjalny „najwyższy półprzewodnik” czwartej generacji, zyskuje na popularności w podłożach półprzewodnikowych ze względu na swoją wyjątkową twardość, przewodność cieplną i właściwości elektryczne. Chociaż wysokie koszty i wyzwania związane z produkcją ograniczają jej zastosowanie, prefer......
Czytaj więcej
Jaka jest różnica między zastosowaniami węglika krzemu (SiC) i azotku galu (GaN)? - Półprzewodnik VeTek
SiC i GaN to półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej, które mają przewagę nad krzemem, takie jak wyższe napięcia przebicia, większe prędkości przełączania i doskonała wydajność. SiC jest lepszy w zastosowaniach wymagających wysokiego napięcia i dużej mocy ze względu na wyższą przewodność c......
Czytaj więcej
Zasady i technologia powłok metodą fizycznego osadzania z fazy gazowej (PVD) (2/2) - VeTek Semiconductor
Odparowanie wiązką elektronów to wysoce wydajna i szeroko stosowana metoda powlekania w porównaniu z ogrzewaniem oporowym, które podgrzewa odparowany materiał wiązką elektronów, powodując jego odparowanie i kondensację w cienką warstwę.
Czytaj więcej
Zasady i technologia powłok metodą fizycznego osadzania z fazy gazowej (1/2) - VeTek Semiconductor
Powlekanie próżniowe obejmuje odparowywanie materiału filmowego, transport próżniowy i wzrost cienkiej warstwy. Zgodnie z różnymi metodami odparowywania folii i procesami transportu, powlekanie próżniowe można podzielić na dwie kategorie: PVD i CVD.
Czytaj więcej
