CVD SiC to materiał z węglika krzemu o wysokiej czystości wytwarzany metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej. Stosowany jest głównie do różnych komponentów i powłok w sprzęcie do przetwarzania półprzewodników. Poniższa treść stanowi wprowadzenie do klasyfikacji produktów i podstawowych funkcji C......
Czytaj więcejW branży produkcji półprzewodników, w miarę zmniejszania się rozmiarów urządzeń, technologia osadzania materiałów cienkowarstwowych stwarza bezprecedensowe wyzwania. Osadzanie warstwy atomowej (ALD), jako technologia osadzania cienkowarstwowego, która umożliwia precyzyjną kontrolę na poziomie atomow......
Czytaj więcejIdealnie nadaje się do budowy układów scalonych lub urządzeń półprzewodnikowych na doskonałej krystalicznej warstwie bazowej. Proces epitaksji (epi) w produkcji półprzewodników ma na celu osadzenie cienkiej warstwy monokrystalicznej, zwykle o grubości około 0,5 do 20 mikronów, na podłożu monokrystal......
Czytaj więcej